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碳热还原合成碳化硅

纳米碳化硅的制备与应用研究进展

2023年9月20日用HRTEM 透射电镜和FTIR 红外光谱对碳热还原法制备的纳米碳化硅进行表征。结果表明，在820~880 cm −1 处有强吸收峰，证明为βSiC 的伸缩振动，其次材常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进行系统碳化硅的制备及应用最新研究进展汉斯出版社

Fe催化硅藻土碳热还原反应制备3CSiC及其机理

2017年9月11日本文以酚醛树脂和硅藻土为原料、以硝酸铁为催化剂前驱体、通过催化碳热还原反应的方法制备SiC粉体,研究反应温度、催化剂用量和反应时间等因素对合成SiC粉体的影响以及使用纳米Fe催化SiO 2 生碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理,从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础,采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场,压力场, 碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟百度学术

硅藻土碳热还原反应制备碳化硅,Journal of Materials Science

2007年3月28日在本文中，研究了使用硅藻土作为 Si 前驱体通过碳热还原反应低温合成碳化硅 (SiC) 的可能性。使用塞尔维亚来源的硅藻土和作为还原剂的炭黑。具有恒定以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响百度学术

外场辅助碳热还原合成碳化硅粉体及其可烧结性研究百度学术

外场辅助碳热还原合成碳化硅粉体及其可烧结性研究来自知网喜欢 0 阅读量： 84 作者：王峰峰摘要：本课题针对海南省高品位石英砂的纯度高储量大的自然地理优势,使用研究了反应温度、碳硅质量比（C/Si=05、07、1）等工艺参数对碳化硅颗粒合成的影响。纯化后的 SiC 样品通过 X 射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、能量色散 X 射线溶胶凝胶和碳热还原法合成和表征碳化硅超细颗粒,Ceramics

合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响百度学术

以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理。结果表明:当合成温度为1500℃时,所合成 2017年9月11日 22 反应温度对Fe催化硅藻土碳热还原反应合成碳化硅的影响图2给出了加入20% Fe做催化剂时不同温度下反应3 h后所得产物的XRD 图谱。图2表明,当反应温度为1300℃时产物的XRD图谱 Fe催化硅藻土碳热还原反应制备3CSiC及其机理

碳热还原法低温制备碳化硅微粉百度学术

碳热还原法低温制备碳化硅微粉以SiO2为硅源,炭黑为碳源,Fe2 O3为催化剂,采用碳热还原法在氩气保护下制备SiC微粉,研究催化剂含量,合成温度对SiC生成,形貌的影响实验结果表明:在原料中添加Fe2 O3粉,1350℃保温3h就能产生SiC微粉;由X射线衍射分析显示,在1450℃下保温 2022年5月20日常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate

温度对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响工程 CAE

2015年1月13日《1 前言》 1 前言氮化硅（Si 3 N 4 ）是一种完全致密的、高强度、高韧度的高级陶瓷材料，尤以其良好的高温性能得到广泛关注。高温下的Si 3 N 4 具有高强度、高硬度、抗蠕变、抗氧化和抗热冲击等优良性能。合成氮化硅的主要途径有3种：金属级 2016年8月29日何晓燕等：微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体63微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体（伊犁师范学院化学与生物科学学院，新疆凝聚态相变与微结构重点实验室，新疆伊宁）要：基于碳热还原法制备碳化硅的原理，针对该方法合成成本高，反应时间长，所用设备昂贵，合成条件苛刻等缺陷利用微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体豆丁网

科学网—溶胶凝胶和碳热还原制备小米碳化硅郭向云的博文

2008年6月23日溶胶凝胶和碳热还原制备小米碳化硅在炭化时将小米在瓷舟里分散铺开后，果然就解决了炭化后颗粒粘成一块儿的问题，成功得到了强度比较好的颗粒状碳模板。接下来就是将事先制备好的硅溶胶渗透或者说填充到碳模板中，让它们在高温下发生碳热还原 2020年7月20日碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法碳化硅的制备方法

高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学

2020年8月21日一、SiC粉体合成方法 SiC粉体的合成方法多种多样，总体来说，大致可以分为三种方法。种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;第二种方法是液相法，其中具有代表性的方法主要是溶胶—凝胶法和聚合物热渭南师范学院的王冬华 [11] 利用HRTEM透射电镜和FTIR红外光谱对碳热还原法制备的纳米碳化硅进行表征。结果表明，在820~880 cm −1 处有强吸收峰，证明为βSiC的伸缩振动，其次材料具有晶体结构，晶格间距为025 mm这与βSiC的(111)面的晶格间距相相同。纳米碳化硅的制备与应用研究进展汉斯出版社

原料粒度对合成碳化硅的影响研究 CIP

2020年7月20日摘要：以轮胎半焦为碳源，石英砂为硅源，在1520℃下通过碳热还原法制备了碳化硅。采用XRD、SEM和红外光谱仪等对不同原料粒度条件下制备的碳化硅进行了表征，探究了原料粒度对合成碳化硅物相、形貌、粒度和反应程度的影响规律。基于碳热还原法制备碳化硅的原理,针对该方法合成成本高,反应时间长,所用设备昂贵,合成条件苛刻等缺陷利用微波的良好加热性能,采用微波辅助碳热还原法制取碳化硅粉体经实验表明,最优条件为:锌粉作催化剂,碳硅原子比为4:1,微波功率800W,微波时间30min该方法微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体百度学术

通过二氧化硅的碳热还原合成碳化硅纳米线及其光致发光性能

2009年11月11日碳化硅纳米线已在 1400 摄氏度下通过二氧化硅与竹炭在常压下无金属催化剂的碳热还原合成。X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散光谱、透射电子显微镜和傅里叶变换红外光谱被用来表征碳化硅纳米线。结果表明碳化硅纳米线具有核壳结构并沿方碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理,从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础,采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场,压力场,气体流动规律进行模拟研究结果表明,随着合成时间的延长,炉内热量呈辐射状向碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟百度学术

碳化硅微粉的低温合成与制备百度学术

摘要：以硅溶胶为硅源,淀粉为碳源,采用低温碳热还原法合成了SiC微粉实验结果表明:淀粉热解得到的碳颗粒和硅溶胶中的SiO2能形成较好的包覆,增大了接触面积,促进了反应的进行在1700℃下反应1h,反应前驱体全部转化为βSiC,产物为SiC颗粒和纳米棒的混合物升高反应温度和延长反应时间都能显著增加碳化硅的合成方法主要是碳热还原法：碳热还原法合成SiC的主要原料是SiO2和C总反应方程式如下：SiO2(s)+3C(s)→SiC(s)+2CO(g)。Guterl等[4]认为反应分两步进行先是固态SiO2和固态C反应生成气态SiO和CO，接着气态SiO再和固态C反应生成固态SiC和气态碳化硅百度文库

溶胶凝胶和碳热还原法制备高比表面积碳化硅docx

2017年12月31日溶胶凝胶和碳热还原法制备高比表面积碳化硅docx,－王冬华（渭南师范学院化学化工系，渭南）摘要采用糠醇、正硅酸乙酯作为碳源、硅源，在溶胶－凝胶过程中加入硝酸钴为催化剂，含氢硅油为结构助剂，通过碳热还原的方法制备出高比表面积 2020年3月24日本文主要针对PVT法生长单晶用高纯SiC粉体的合成工艺方法进行了阐述。一、SiC粉体合成方法 SiC粉体的合成方法多种多样，总体来说，大致可以分为三种方法。种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法；第高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述

微波加热催化反应低温制备βSiC粉体

2016年9月26日本课题组 [12] 以正硅酸乙酯和蔗糖为原料, 采用溶胶凝胶、微波碳热还原法, 经1300℃反应1 h得到纯相的碳化硅。郝斌等 [ 13 ] 以乙炔炭黑和硅粉为原料, 采用微波加热工艺, 经1100℃反应30 min或1200℃反应15 min后制备了纯相的碳化硅粉体。以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理。结果表明:当合成温度为1500℃时,所合成合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响百度学术

Fe催化硅藻土碳热还原反应制备3CSiC及其机理

2017年9月11日 22 反应温度对Fe催化硅藻土碳热还原反应合成碳化硅的影响图2给出了加入20% Fe做催化剂时不同温度下反应3 h后所得产物的XRD 图谱。图2表明,当反应温度为1300℃时产物的XRD图谱碳热还原法低温制备碳化硅微粉以SiO2为硅源,炭黑为碳源,Fe2 O3为催化剂,采用碳热还原法在氩气保护下制备SiC微粉,研究催化剂含量,合成温度对SiC生成,形貌的影响实验结果表明:在原料中添加Fe2 O3粉,1350℃保温3h就能产生SiC微粉;由X射线衍射分析显示,在1450℃下保温碳热还原法低温制备碳化硅微粉百度学术

碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate

2022年5月20日常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅2015年1月13日《1 前言》 1 前言氮化硅（Si 3 N 4 ）是一种完全致密的、高强度、高韧度的高级陶瓷材料，尤以其良好的高温性能得到广泛关注。高温下的Si 3 N 4 具有高强度、高硬度、抗蠕变、抗氧化和抗热冲击等优良性能。合成氮化硅的主要途径有3种：金属级温度对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响工程 CAE

微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体豆丁网

2016年8月29日何晓燕等：微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体63微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体（伊犁师范学院化学与生物科学学院，新疆凝聚态相变与微结构重点实验室，新疆伊宁）要：基于碳热还原法制备碳化硅的原理，针对该方法合成成本高，反应时间长，所用设备昂贵，合成条件苛刻等缺陷利用 2008年6月23日溶胶凝胶和碳热还原制备小米碳化硅在炭化时将小米在瓷舟里分散铺开后，果然就解决了炭化后颗粒粘成一块儿的问题，成功得到了强度比较好的颗粒状碳模板。接下来就是将事先制备好的硅溶胶渗透或者说填充到碳模板中，让它们在高温下发生碳热还原科学网—溶胶凝胶和碳热还原制备小米碳化硅郭向云的博文

碳化硅的制备方法

2020年7月20日碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法 2020年8月21日一、SiC粉体合成方法 SiC粉体的合成方法多种多样，总体来说，大致可以分为三种方法。种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;第二种方法是液相法，其中具有代表性的方法主要是溶胶—凝胶法和聚合物热高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学